Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Dopage (Semi-conducteur) — Pour l’article homonyme, voir Dopage (sport). Un dopant, dans le domaine des semi conducteurs, est une impureté ajoutée en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés de conductivité. Les propriétés des semi … Wikipédia en Français
Dopage (semi-conducteur) — Pour l’article homonyme, voir Dopage (sport). Un dopant, dans le domaine des semi conducteurs, est une impureté ajoutée en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés de conductivité. Les propriétés des semi … Wikipédia en Français
SILICIUM — Le silicium (symbole Si, numéro atomique 14) ne se trouve pas à l’état natif, mais constitue, sous forme de silice et de silicates, l’élément le plus abondant (environ 28 p. 100), après l’oxygène, à la surface du globe (cf. SILICATES, SILICE).… … Encyclopédie Universelle
Silicium Poreux — Le silicium est majoritairement connu sous sa forme monocristalline et polycristalline. Depuis quelques décennies, un nouveau type de morphologie s est développé : le silicium poreux (SiP). Cette morphologie a été constatée pour la première… … Wikipédia en Français
Silicium poreux — Le silicium est majoritairement connu sous sa forme monocristalline et polycristalline. Depuis quelques décennies, un nouveau type de morphologie s est développé : le silicium poreux (SiP). Cette morphologie a été constatée pour la première… … Wikipédia en Français
implantation — [ ɛ̃plɑ̃tasjɔ̃ ] n. f. • 1541; de implanter 1 ♦ Action d implanter, de s implanter. Implantation d une industrie dans une région, de filiales à l étranger. ⇒ établissement, installation. Implantation d un parti politique. ⇒ ancrage. Spécialt… … Encyclopédie Universelle
Implantation ionique — ● Implantation ionique procédé de dopage du silicium à l aide d un faisceau d ions accélérés sous haute tension, utilisé pour les circuits hautement intégrés dont la dimension des éléments est inférieure au micromètre … Encyclopédie Universelle
Dotieren des Siliziums — silicio legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon doping vok. Dotieren des Siliziums, n; Siliziumdotierung, f rus. легирование кремния, n pranc. dopage de silicium, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Siliziumdotierung — silicio legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon doping vok. Dotieren des Siliziums, n; Siliziumdotierung, f rus. легирование кремния, n pranc. dopage de silicium, m … Radioelektronikos terminų žodynas
silicio legiravimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon doping vok. Dotieren des Siliziums, n; Siliziumdotierung, f rus. легирование кремния, n pranc. dopage de silicium, m … Radioelektronikos terminų žodynas
